Samsung Electronics vient d’entamer la construction de son nouveau centre de recherche et développement (R&D) dans la ville sud-coréenne de Giheung, légèrement au sud de la capitale Séoul. Ce centre coûtera en tout quasiment 14,9 milliards d’euros et devrait être terminé en 2028.
Le nouveau centre R&D aura une superficie de 109.000 mètres carrés. Samsung y procédera à de la recherche sur des appareils de la prochaine génération, des semi-conducteurs et des processus de stockage.
Le centre sera édifié sur le Samsung Electronics Giheung Campus existant, là même où est née la première DRAM mondiale de 64 Mo. Cette création qui remonte à 1992 coïncide plus ou moins avec le début de la prise de leadership du marché des semi-conducteurs par Samsung. La pose de la première pierre du centre a été effectuée en présence du Samsung Electronics Vice Chairman Jay Y. Lee, du Président et CEO Kye Hyun Kyung, du Président de la division mémoires de Samsung Jung-Bae Lee, du Président de la division fondrie Siyoung Choi et du Président de la division System LSI Yong-In Park.
En collaboration avec Dutch IT-channel.
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