Intel et Micron annoncent une mémoire Flash à 20nm

Intel et Micron Technology préparent conjointement une mémoire Flash conçue selon la technologie 20nm pour les smartphones, tablettes et autres appareils mobiles.

Intel et Micron Technology préparent conjointement une mémoire Flash conçue selon la technologie 20nm pour les smartphones, tablettes et autres appareils mobiles.

La capacité de stockage des systèmes mobiles est elle aussi sous la pression constante de la croissance. Cela vaut d’ailleurs tout autant pour les applications que pour les disques transistorisés.

Intel et Micron annoncent dès lors les premières puces ‘multi level cell’ Flash NAND à 8 Go conçues selon la nouvelle technologie de production à 20nm. Ces puces offriraient les mêmes performances et la même longévité que celles de leurs homologues fabriquées selon la technologie 25nm existante, mais occuperaient de 30 à 40 pour cent d’espace en moins sur la plaquette imprimée, tout en offrant une capacité de stockage identique.

Ces puces devraient être disponibles à grande échelle au cours du second semestre de cette année, alors que les premiers exemplaires à 16 Go devraient également être prêts à ce moment. Les nouvelles puces de mémoire Flash NAND seront fabriquées par IM Fash Technologies, la co-entreprise d’Intel et de Micron Technology.