IBM et Samsung promettent la percée d’une puce à transistors verticaux

Fortes d’un nouveau concept, Samsung et IBM se targuent que leurs puces seront à l’avenir nettement plus performantes et économes en énergie.

Les puces se composent de milliards de transistors. Les performances de ce type de puce dépendent en général du nombre de transistors qu’elle peut accueillir. Ces dernières années, on s’est surtout concentré sur une réduction de la taille de ces transistors.

IBM et Samsung annoncent à présent un nouveau design prévoyant le positionnement vertical des transistors sur la puce. Le concept Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) promet une double amélioration des performances et une consommation de courant réduite de 85 pour cent. Il succède ainsi à finFET, la méthode actuelle d’installation des transistors sur la puce.

Selon les deux entreprises, cela signifie entre autres qu’un smartphone pourrait continuer de fonctionner non pas en termes de jours, mais de semaines et que le matériel IoT deviendrait nettement plus puissant ou fonctionnerait plus longtemps sur la même batterie.

Malgré les importantes pénuries, les développeurs de puces continuent de plancher sur des solutions destinées à accroître les performances. C’est ainsi qu’Intel par exemple mise fortement sur l’empilage de couches de transistors afin d’en mettre plus sur une même puce.

Aujourd’hui déjà, IBM a préparé des puces d’essai, un projet amené à encore évoluer. Il nous faut cependant ajouter ici qu’il conviendra d’enregistrer encore pas mal de progrès avant que cette technologie puisse générer un produit de masse disponible sur le plan commercial. Les promesses de performances des batteries doivent aussi toujours être interprétées avec une certaine nuance. Il arrive en effet souvent que les applications ou le matériel connexe évolue également avec le temps, ce qui fait que le gain de performances ou d’économie d’énergie est partiellement absorbé par un surplus de possibilités.