Des disques transistorisés inusables

Guy Kindermans Rédacteur de Data News

La société taïwanaise Macronix a trouvé une solution au problème d’usure des puces Flash dans les disques transistorisés (‘solid state’).

La société taïwanaise Macronix a trouvé une solution au problème d’usure des puces Flash dans les disques transistorisés (‘solid state’).

Les disques durs se composant de puces Flash sont rapides et économes en énergie, mais ont un problème d’usure, parce que ces puces ne peuvent être lues et écrites de manière fiable qu’un nombre restreint de fois. Après 10.000 fois environ, le fonctionnement de la couche d’isolation dans les cellules individuelles de la puce diminue, de sorte que les fabricants des ‘solid state disks’ (SSD) notamment répartissent la charge lecture/écriture de manière aussi proportionnée que possible sur tous les éléments disponibles, afin d’en prolonger la durée de vie utile.

Le producteur taïwanais de systèmes de mémoire non volatile Macronix annonce à présent avoir trouvé une solution à ce problème dans les puces NAND-Flash, peut-on lire dans un article paru dans IEEE Spectrum. L’on savait en effet que les puces échauffées à 250 °C pendant des heures restauraient leur fonctionnement, mais que cela n’était pas vraiment convertible dans la pratique au niveau d’un produit commercial. Or Macronix aurait à présent conçu une puce NAND Flash où les cellules de mémoire peuvent s’échauffer individuellement pendant très peu de temps (de l’ordre de quelques millisecondes) jusqu’à 800 °C. La chaleur ne se propage pas au-delà de la cellule même, mais celle-ci parvient à se restaurer complètement. Dans les appareils mobiles, l’échauffement pourrait aussi être limité aux périodes où ils sont rechargés, pour ne pas solliciter inutilement les batteries. Selon les chercheurs, l’échauffement engendrerait également des temps d’effacement plus rapides, ce qui est assez inattendu, mais cela pourrait éventuellement résulter en un procédé ‘à support thermique’ qui pourrait peut-être même reprendre la fonction de la RAM ordinaire.

Dan un premier temps, Macronix se targue du fait que le nombre de cycles de lecture/écriture peut être porté de quelque 10.000 à quelque 100 millions, mais telle ne serait pas encore la limite (l’entreprise n’a tout simplement pas encore eu assez de temps pour tester de plus grands nombres). Comme le système exigeait une adaptation approfondie de l’architecture de la puce de mémoire, l’on ne sait pas encore clairement quand cela se traduira par un produit commercial disponible à grande échelle. Mais, semble-t-il, il ne s’agit pas d’un nouveau principe et “nous aurions pu le faire, il y a dix ans déjà”, affirme Hang-Ying Lue, project deputy director chez Macronix.

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