Le graphène n’est plus le seul matériau bidimensionnel à vouloir prendre la place du silicium. Des chercheurs de l’université de Pennsylvanie ont en effet découvert un nouveau candidat sous la forme du disulfure de molybdène.
Cette liaison chimique peut être déployée aussi en couches d’1 atome d’épaisseur, tout comme le graphène. Elle se prêterait aussi à la réalisation de circuits électroniques. La nouvelle était connue depuis quelque temps déjà, mais elle était restée confidentielle car ce nouveau matériau était très difficile à traiter.
Nouvelle technique
A l’université de Pennsylvanie, l’on a à présent trouvé une nouvelle manière de créer de fines couches de disulfure de molybdène (MoS2). Cette substance se présente, sous une forme impure, dans des lubrifiants industriels. Si l’on veut en faire de fines couches, il faut d’abord en retirer les impuretés. Les chercheurs y sont arrivés en recourant à un processus au cours duquel les petits flocons impurs présents sont filtrés dans une solution. Cela permet d’obtenir de petits fragments de MoS2 pur utilisables comme noyaux de condensation.
Prometteur
MoS2 est un matériau caractérisé par ce qu’on appelle en jargon un band-gap, ce qui signifie que deux états énergétiques différents peuvent s’y manifester et ce, contrairement au graphène, qui n’adopte ce comportement qu’après ajout d’impuretés. La recherche se focalise à présent sur des méthodes permettant d’utiliser ce band-gap pour réaliser des circuits logiques.
Source: Automatiseringgids.
