Intel et Micron se targuent d'une percée dans la technologie mémoire

29/07/15 à 11:43 - Mise à jour à 11:43

Source: Datanews

Les fondeurs de puces Intel et Micron ont mis au point avec '3D XPoint' un nouveau type de mémoire informatique qui combine la vitesse de la mémoire de travail (RAM) à la capacité de stockage de flash (NAND) et qui serait jusqu'à 1.000 fois plus rapide que la technologie mémoire existante.

Intel et Micron se targuent d'une percée dans la technologie mémoire

© 3D NAND

Un ordinateur utilise deux sortes de mémoire. La mémoire RAM interne assure un traitement rapide des données, mais ne les conserve pas, lorsque l'appareil est désactivé. Quant à la mémoire permanente d'un ordinateur, elle conserve certes les données, lorsque l'appareil est mis hors tension, mais elle était jusqu'à présent relativement lente (NAND). Ce type de mémoire est par exemple utilisé pour les Solid State Disks (SSD), les clés USB, les cartes mémoire, les GSM et les tablettes.

Nombre d'entreprises tentent depuis des années déjà de développer une mémoire accessible très rapidement, capable d'être produite en grandes quantités et qui, en outre, ne nécessite pas de courant pour enregistrer les données.

Le nouveau type de mémoire présenté aujourd'hui par Intel et Micron répond à ces exigences et réunit les meilleures propriétés de la NAND et de la RAM. '3D XPoint', comme elle s'appelle, serait jusqu'à 1.000 fois plus rapide que la mémoire permanente actuelle. Sa durée de vie serait aussi 1.000 fois supérieure, alors que les puces de mémoire pourraient, selon les concepteurs, devenir jusqu'à dix fois plus compactes.

Intel et Micron ont entre-temps déjà mis la mémoire 3D XPoint en production. C'est IMFT, la co-entreprise entre les deux sociétés technologiques, qui en a la charge. Ultérieurement cette année encore, les premiers échantillons seront distribués aux partenaires en hardware et ce, même si Intel et Micron développeront elles-mêmes aussi des produits intégrant la nouvelle technologie mémoire.

La mémoire 3D XPoint se présente un peu comme un 'échiquier' tridimensionnel (voir la vidéo) avec des cellules de mémoire aux croisements. De ce fait, chaque cellule peut être abordée individuellement, et de petits fragments de données peuvent être plus rapidement lus et transférés. Il n'y a plus besoin de transistors dans ce genre d'architecture.

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