Intel rapproche encore le substitut de Flash
Lors de la réputée ‘International Solid State Circuits Conference’ de San Francisco, Intel a annoncé une prouesse technologique qui devrait rapprocher encore la substitution de la mémoire Flash par la mémoire ‘single phase-change’.
Lors de la réputée ‘International Solid State Circuits Conference’ de San Francisco, Intel a annoncé une prouesse technologique qui devrait rapprocher encore la substitution de la mémoire Flash par la mémoire ‘single phase-change’.
La mémoire Flash – les puces de mémoire qui conservent leur information, même en cas de panne de courant – est devenue très populaire au cours des années écoulées avec, à la clé, d’innombrables applications dans les GSM, lecteurs MP3, clefs de mémoire, voire dans les disques durs entièrement transistorisés. Il n’empêche que les limites de cette technologie sont en vue, entre autres au niveau de la capacité de stockage et de la vitesse de lecture/écriture.
La technologie [‘single phase change’] propose déjà toute une série de réelles opportunités pour y succéder. L’on exploite ici une modification physique (transition ou changement de phase) dans un matériau pour stocker les données.
Lors d’ISLC à San Francisco, Intel a décrit la façon dont elle est parvenue – en collaboration avec son partenaire ST Microelectronics – à créer en plus des deux états bien connus (amorphe et cristallin, à savoir sans structure ou avec une structure extrêmement claire), deux autres états dans le matériau choisi (une sorte de verre, qualifié de GST). Ce faisant, la capacité de stockage peut être doublée (ce qui est comparable avec la technologie Flash), et ce sans modification fondamentale dans le processus de production actuel.
Cette prouesse, combinée à une vitesse de lecture/écriture supérieure comparable à celle de Dram et Sram, fera à terme de la technologie ‘single phase change’ un substitut quasiment certain de Flash. Les fabricants de GSM pourront ainsi remplacer la combinaison actuelle Dram – Flash par une puce de mémoire unique.
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