IBM va concurrencer la mémoire Flash

30/06/11 à 12:06 - Mise à jour à 12:06

Source: Datanews

Des chercheurs d'IBM ont développé avec la 'phase change memory' un substitut possible à la mémoire Flash.

IBM va concurrencer la mémoire Flash

© Wikimedia Commons

Des chercheurs d'IBM ont développé avec la 'phase change memory' un substitut possible à la mémoire Flash.

Des chercheurs du laboratoire IBM de Zürich ont développé des technologies qui pourraient à coup sûr déboucher d'ici cinq ans sur le lancement sur le marché d'une alternative à la mémoire Flash. Aujourd'hui, cette dernière est utilisée dans une vaste gamme d'appareils allant des lecteurs MP3 et des smartphones jusqu'aux disques durs transistorisés.

La 'Phase change memory' (PCM) exploite la différence en résistance électrique de matériaux ayant subi un déphasage. Les matériaux adéquats peuvent subir ce genre de déphasage sous l'effet de la chaleur, par exemple suite à un rayonnement laser (comme dans les DVD enregistrables avec modification de l'intensité du rayonnement) ou par des niveaux de courant adaptés, comme dans le cas de PCM. En envoyant du courant à différentes tensions ou des impulsions électriques à travers le matériau de déphasage ('phase change'), la résistance de ce matériau peut être ajustée.

La nouvelle technologie de mémoire PCM offrirait tant les avantages de la mémoire Flash, comme le stockage de données non volatile, qu'une grande longévité et qu'un nombre nettement plus grand de cycles de lecture/écriture que Flash (un facteur important pour une utilisation dans un environnement professionnel, selon IBM).

L'une ou l'autre percée fera de PCM une alternative intéressante à assez brève échéance. C'est ainsi que la structure 'multi-level cell' de PCM permet de stocker plusieurs bits par cellule. En outre, un processus d'écriture 'itératif' plus précis a aussi été mis au point (en l'occurrence, le processus est répété jusqu'à ce que le niveau de résistance voulu soit atteint), de même qu'une méthode d'encodage en vue de corriger les erreurs résultant des changements dans la résistance ('resistance drift'). Cette dernière, combinée aux méthodes de correction d'erreurs existantes, fait de PCM une technologie convenant pour une utilisation dans les composants de la mémoire.

IBM prétend que même avec des performances d'écriture les plus piètres possibles, PCM s'avérera encore cent fois meilleure que l'actuelle technologie de mémoire Flash. PCM a déjà été testée sur base d'une première puce de test conçue selon la technologie CMOS 90nm et continuera d'être développée par IBM en collaboration avec l'ETH de Zürich.

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